化學氣相沉積(CVD)工藝技術特點
化(hua)學(xue)氣(qi)相沉(chen)積(CVD)是用化(hua)學(xue)方法使反(fan)(fan)應氣(qi)體(ti)在零件(jian)(jian)基材(cai)表(biao)面(mian)發生化(hua)學(xue)反(fan)(fan)應而(er)形成覆蓋(gai)層的方法。通常CVD是在高溫(800~1000℃)和常壓或低(di)壓下進行的,沉(chen)積裝置如圖3-13所(suo)示(shi)。 a.反(fan)(fan)應氣(qi)體(ti)向工件(jian)(jian)表(biao)面(mian)擴(kuo)散并被吸附。 b.吸收(shou)工件(jian)(jian)表(biao)面(mian)的各種(zhong)...